Курс валют:
RUB/BRL 0,0682
0,0003
RUB/INR 1,1153
0,0078
RUB/CNY 0,1092
0,0006
RUB/ZAR 0,2341
0,0015
BRL/RUB 14,6707
0,0776
BRL/INR 16,3671
0,0327
BRL/CNY 1,6013
0,0009
BRL/ZAR 3,4345
0,0005
INR/RUB 0,8965
0,0062
INR/CNY 0,0979
0,0002
INR/ZAR 0,2098
0,0001
INR/BRL 0,0611
0,0001
ZAR/BRL 0,2911
0,0003
ZAR/RUB 4,2711
0,0268
ZAR/INR 4,7636
0,005
ZAR/CNY 0,4662
0,0002
CNY/RUB 9,1613
0,0525
CNY/INR 10,2201
0,0108
CNY/BRL 0,6245
0,0003
CNY/ZAR 2,1441
0,0007
Погода:
Москва -2 °C
Бразилиа 20 °C
Нью-Дели 16 °C
Пекин 9 °C
Претория 16 °C
Россия 29 августа / Технологии

Российские ученые научились имитировать биологическую память

Российские ученые научились имитировать биологическую память

В МФТИ научились имитировать биологическую память. Устройство, разработанное в Московском физико-техническом институте, полностью имитирует биологическую память и способно запоминать исключительно нужную информацию, забывая при этом ненужную. Работает новое устройство стабильнее ранее изобретенных аналогов. Создано устройство на основе оксида гафния. Результаты исследования уже опубликованы в журнале ACS Applied Materials & Interfaces, сообщает корреспондент tvbrics.com со ссылкой на evo-rus.com.

Устройство, названное исследователями мемристор, напоминает биологический синапс. Он запоминает и забывает информацию автоматически.

«Мы использовали более надежный механизм, который продемонстрировал впечатляющий запас прочности: после проверки на 100 млрд циклов переключения система почти не изменила свои свойства, и коллеги отчаялись исчерпать ресурс ячейки памяти», - рассказала ведущий автор исследования, сотрудница лаборатории нейровычислительных систем МФТИ Анастасия Чуприк.

А случиться открытию позволили «несовершенство» материала и его дефекты. Именно некоторые «изъяны» на границе между кремнием и оксидом гафния создали процесс затухания проводимости мемристора, тем самым воспроизводящий естественную память.

«Самое сложное — это подобрать подходящую толщину сегнетоэлектрического слоя, - отмечает Анастасия Чуприк. - Оказалось, что для оксида гафния она составляет 4 нм. Если сделать пленку всего на нанометр тоньше, то она потеряет сегнетоэлектрические свойства, а если толще — электроны не смогут туннелировать через нее, а именно туннельный ток поддается регулировке через поляризацию».

В устройстве использован материал, способный менять и сохранять свою электрическую поляризацию под действием внешнего электрического поля, и называется он сегнетоэлектрик. Ученые реализовали устройство в виде сегнетоэлектрического туннельного перехода — двух электродов, между которыми проложена тонкая пленка сегнетоэлектрика, из оксида гафния.

Внешние электрические импульсы меняют поляризацию сегнетоэлектрика и таким образом контролируют сопротивление, с помощью которого и происходит кодирование информации.

Свойства «дефективного» оксида гафния ученые намерены подробно и фундаментально изучить. Это даст возможность повысить надежность хранения информации в ячейках энергонезависимой памяти. Со временем устройство перенесут на гибкую подложку для использования в гибкой электронике.

yandex-dzen

Еще по теме

Новости мира 19 февраля  /  Технологии
Последнее обновление Windows 10 признали опасным сами разработчики
Россия 17 февраля  /  Технологии
Красноярские ученые используют «рентгеновские ножницы» для молекул
Россия 14 февраля  /  Технологии
В Томске разработают отечественные модули 5G
Россия 13 февраля  /  Технологии
В Гонконге придумали, как добыть электричество из дождя
Россия 13 февраля  /  Технологии
Российские специалисты приступили к разработке сетей 5G
Россия 13 февраля  /  Технологии
Wi-Fi6 скоро заработает на территории РФ
Еще