据TV BRICS合作伙伴 印度亚洲新闻社(IANS)报道,印度电子与信息技术部部长阿什维尼·维什瑙(Ashwini Vaishnaw)宣布加速推进半导体产业发展路线图:预计到2026年底印度将投产四座半导体工厂,2027年再增两座,而印度首座晶圆制造厂将于2028年在多莱拉市(Dholera)建成。
这一消息发布于总理纳伦德拉·莫迪主持凯恩斯半导体(Kaynes Semicon)OSAT工厂揭幕仪式期间。该工厂位于古吉拉特邦萨纳德市(Sanand)。瓦伊什纳夫强调,项目从奠基到量产仅用时14个月,充分体现了印度基础设施项目的高效执行力。
瓦伊什纳夫在讲话中特别强调了专业人才培养的重要性。目前,约6万名来自315所印度高校的年轻工程师已完成专业芯片设计工具的培训,并积极参与国家研发项目。
"这些工程师设计的芯片已在昌迪加尔的专业实验室中投入生产," 部长指出,"印度设计、印度制造"正成为产业发展的核心原则。
为保障半导体产业可持续增长,印度正着力构建涵盖设备制造、化学试剂、气体供应及测试基础设施的综合生态系统。在"印度半导体2.0”计划框架下,总理已指示推动全产业链本土化布局。
古吉拉特邦在半导体战略实施中扮演关键角色。邦首席部长布潘德拉·帕特尔(Bhupendra Patel)表示,萨纳德市与多莱拉市将打造为印度"硅谷",集生产、研发与创新于一体。
"古吉拉特正成为人工智能、半导体、绿氢及可再生能源的综合枢纽," 帕特尔介绍,该邦已启动先进材料中心建设、高校专业课程增设及物流基础设施升级等多项举措。
印度设定了明确的中长期发展目标:到2032年跻身全球半导体强国前六,到2047年进入世界前三。随着政策引导、人才红利与产业链协同效应持续释放,印度半导体产业有望在全球格局中发挥日益重要的作用。
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